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第308章 万事俱备（第2页）

“但是存储行业，经过数十年激烈竞争，技术呈现高度化集中、寡头化倾向，无论是NandFlash，还是DRAM，没有专利授权，资金再充足，也上不了牌桌。”

“不知道几位考虑过这个问题没有？”

听到这里，常乐、曾熙、梁青松还有赵志伟都笑了起来。

曾熙说：“这个问题，我们已经考虑过。”

“不瞒您说，在来之前，我们已经通过监管层与中科院微电子所进行了对接，获得了1000多项NandFlash的核心专利，已经具备了入圈的条件。”

“而且，微电子所还表示，一旦公司成立，进入研发阶段，他们将派出工程师来现场支援。”

杨永宁：“……”

高启明：“……”

当前，NANDFlash2D技术陷入瓶颈，单块芯片对接的晶体管达到上限，产品性能触顶。

闪存技术因此进入2D转3D的革命性迭代阶段。

需要全新的设备、产线，所有人都要重新起跑。

国内与国外寡头的技术差距，在技术迭代面前被抹平。

在全新NANDFlash3D技术落地前，三星、海力士、镁光等寡头先后递交了相关专利申请。

国内的国字号机构——中科院微电子所——通过十多年的技术积累和辛勤耕耘，也手握1000多项核心专利，保留了国内上牌桌的资格。

“DRAM方面，其实我们也有一些专利，只是没有对外公布，外人不知道而已。”曾熙接着介绍说：

“09年的时候，德国英飞凌陷入严重亏损，恰逢我们刚刚入股舍弗勒和大陆集团。”

“在保时捷衔接和德国政府协调下，他们以奇梦达1000多万份专利为抵押，从我们公司拿到了1。25亿欧元的借款，约定2011年后赎回。”

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“现在已经是2013年，他们没有丝毫赎回的意愿。根据协议，这些专利已经属于我们乐达投资。”

“也就是说，在DRAM领域，只要团队到位，我们就有资格进入竞争圈。”

杨永宁：“……”

高启明：“……”

曾熙继续说：“再有一件事向两位专家介绍一下。”

“奇梦达的专利，我们找专业机构核实过，最先进的制程是46纳米，客观说已经落后时代。”

“但是，我们参股的华创公司，其蚀刻机工艺节点已经达到28纳米……”

“简而言之，无论是研发，还是生产，我们都具备一定条件，剩下的就是赶路。”

“我们真诚邀请两位作为我们赶路的引路人。”

“……”听完曾熙介绍，杨永宁已经惊得合不拢嘴。

而他身旁的高启明，眼里更是露出了希冀之光。

其实，从历史经验看：

在半导体领域，尤其是存储行业，无论是台岛，还是日本，都是三星逆周期投资大法和价格屠刀的牺牲品。

两地都有强烈的“抗韩”梦。

以已经破产的尔必达为例，其破产之前的512MRAM颗粒能把良品率做到惊人的98%，而三星的良品率只有83%。